专利技术:一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型
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专利技术:一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型
2016/09/25  
    本发明公开了一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型,属于电学层析成像技术领域。针对电阻层析成像技术中灵敏度矩阵的病态性,在可有效提高正问题计算精度的有限元模型a的基础上,以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量,以敏感场均匀分布时灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数,利用改进粒子群算法h细化有限元模型a,提出一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型b。本发明在不影响正问题计算精度的前提下,改善了敏感场均匀分布时灵敏度矩阵的病态性,有效提高了图像重建质量,适用于以灵敏度理论为基础的电阻层析成像图像重建算法。
专利种类: 发明
可行性分析: 已由相应机构作出分析报告
法律状况: 申请中
专利申请号: 201610143207.3
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